Name: Energie-Modul FF50R12RT4 34mm 1200V Infineon IGBT verdoppeln IGBT mit schnellem Graben/Fieldstop
Brand: Infineon
SKU: FF50R12RT4
Rating: 4.6 (188 reviews)

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Energie-Modul FF50R12RT4 34mm 1200V Infineon IGBT verdoppeln IGBT mit schnellem Graben/Fieldstop

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	Infineon
Modellnummer:	FF50R12RT4

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1 Satz
Verpackung Informationen:	Verpackung des hölzernen Kastens
Lieferzeit:	25 Tage, nachdem der Vertrag unterzeichnet worden ist
Zahlungsbedingungen:	T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	1000sets

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

VCES:	1200V	IC-nom:	50A
ICRM:	100A	Anwendungen:	Motorantriebe
Elektrische Eigenschaften:	Niedrige Schaltungs-Verluste
Markieren:	Modul igbt der hohen Leistung , Automobil-igbt

Infineon FF50R12RT4 weithin bekannte 34 Millimeter 1200V verdoppeln IGBT-Module mit schnellen Graben/fieldstop IGBT4 und dem gesteuerten Emitter

Typische Anwendungen

• Konverter der hohen Leistung

• Motorantriebe

• UPS-Systeme

Elektrische Eigenschaften

• Ausgedehnte Operations-Temperatur Tvj OP

• Niedrige Schaltungs-Verluste

• Niedriges VCEsat

• Tvj OP = 150°C

• VCEsat mit positivem Temperatur-Koeffizienten

Mechanische Eigenschaften

• Lokalisierte Grundplatte

• Standardwohnung

IGBT, Inverter

Maximale Nennwerte

Kollektor-Emitter-Spannung	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Ununterbrochener DC-Kollektorstrom	TC = 100°C, Tvj maximal = 175°C	IC-nom	50	A
Sich wiederholender Höchstkollektorstrom	TP = 1 Frau	ICRM	100	A
Gesamtleistungsableitung	TC = 25°C, Tvj maximal = 175°C	Ptot	285	W
Tor-Emitterhöchstspannung		VGES	+/--20	V

Kennwerte

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE gesessen		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Torschwellenspannung	IC = 1,60 MA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Torgebühr	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Interner Torwiderstand	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Inputkapazitanz	f = 1 MHZ, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-Düngung
Rückübergangskapazitanz	f = 1 MHZ, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-Düngung
Kollektor-Emitter Sperrstrom	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GEFRIERT			1,0	MA
Tor-Emitterdurchsickernstrom	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	Na
Einschaltverzögerungszeit, induktive Belastung	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TD an		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Anstiegszeit, induktive Belastung	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	tr		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Abschaltverzögerungszeit, induktive Belastung	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	TD weg		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Abfallzeit, induktive Belastung	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Drehung-auf Energieverlust pro Impuls	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Äone		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Drehungs-wegEnergieverlust pro Impuls	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Sc-Daten	VGE-≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt TP-≤ 10 µs, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall	IGBT/pro IGBT	RthJC			0,53	K/W
Thermischer Widerstand, caseto Kühlkörper	JEDES IGBT/pro IGBT λPaste = 1 mit (m·K)/λgrease = 1 mit (m·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatur unter Schaltungsbedingungen		Tvj OP	-40		150	°C