Herkunftsort: | China |
Markenname: | Infineon |
Modellnummer: | FF1200R12IE5 |
Min Bestellmenge: | 1 Satz |
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Verpackung Informationen: | Verpackung des hölzernen Kastens |
Lieferzeit: | 25 Tage, nachdem der Vertrag unterzeichnet worden ist |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000sets |
VCES: | 1200V | IC-nom: | 1200A |
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ICRM: | 2400A | ||
Markieren: | Hochleistungs-IGBT-Modul,Eupec-IGBT-Modul |
Infineon Technologies Automotive IGBT-Module Hochleistungsumrichter FF1200R12IE5 Motorantriebe
Typische Anwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• USV-Systeme
Elektrische Eigenschaften
• Erweiterte Betriebstemperatur T vj op
• Hohe Kurzschlussfestigkeit
• Unschlagbare Robustheit
• T vj op = 175 ° C
• Graben IGBT 5
Mechanische Eigenschaften
• Paket mit CTI> 400
• Hohe Leistungsdichte
• Hohe Leistung und Temperaturwechselfestigkeit
• Hohe Kriech- und Luftstrecken
IGBT-Wechselrichter
Maximale Nennwerte
Kollektor-Emitter-Spannung | TVj = 25 ° C | VCES | 1200 | V |
Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom | TC = 80 ° C, Tvj max = 175 ° C | IC-Nom | 1200 | EIN |
Wiederholbarer Spitzenkollektorstrom | tP = 1 ms | ICRM | 2400 | EIN |
Gate-Emitter-Spitzenspannung | VGES | +/- 20 | V |
Kennwerte min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung | IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25ºC IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125ºC IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175ºC | VCE saß | 1,70 2,00 2,15 | 2,15 2,45 2,60 | VVV | |
Gate-Schwellenspannung | IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25ºC | VGEth | 5,25 | 5,80 | 6,35 | V |
Gate Ladung | VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600 V | QG | 5,75 | μC | ||
Interner Gate-Widerstand | TVj = 25 ° C | RGint | 0,75 | Ω | ||
Eingangskapazität | f = 1 MHz, Tvj = 25ºC, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 65,5 | nF | ||
Rückübertragungskapazität | f = 1 MHz, Tvj = 25ºC, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 2,60 | nF | ||
Kollektor-Emitter-Sperrstrom | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25ºC | ICES | 5,0 | mA | ||
Gate-Emitter-Leckstrom | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25ºC | IGES | 400 | n / a | ||
Einschaltverzögerungszeit, induktive Last | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25ºC VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C | td an | 0,20 0,23 0,25 | μs μs μs | ||
Anstiegszeit, induktive Last | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25ºC VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C | tr | 0,16 0,17 0,18 | μs μs μs | ||
Ausschaltverzögerungszeit, induktive Last | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25ºC VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C | td aus | 0,48 0,52 0,55 | μs μs μs | ||
Abfallzeit, induktive Last | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25ºC VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C | tf | 0,08 0,11 0,13 | μs μs μs | ||
Einschalt-Energieverlust pro Impuls | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25ºC VGE = ± 15 V, di / dt = 6000 A / & mgr; s (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C | Äon | 80,0 120 160 | mJ mJ mJ | ||
Abschalt-Energieverlust pro Impuls | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25ºC VGE = ± 15 V, du / dt = 2800 V / us (Tvj = 175ºC) Tvj = 125ºC RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C | Eoff | 130 160 180 | mJ mJ mJ | ||
SC-Daten | VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE · di / dt tP ≤ 10 & mgr; s, Tvj = 175 ° C | ISC | 4000 | EIN | ||
Thermischer Widerstand, Verbindung zum Gehäuse | IGBT / pro IGBT | RthJC | 28,7 | K / kW | ||
Thermischer Widerstand, Gehäuse zum Kühlkörper | IGBT / pro IGBT λPaste = 1 W / (m · K) / λ Fett = 1 W / (m · K) | RthCH | 22,1 | K / kW | ||
Temperatur unter Schaltbedingungen | TVJ op | -40 | 175 | ° C |
Ansprechpartner: Ms. Biona
Telefon: 86-755-82861683
Faxen: 86-755-83989939
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