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1200V Halbbrücke-des Modul-FF200R12KT4 C Serie des Inverter-Doppel-IGBT des Maschinenantrieb-62mm

1200V Halbbrücke-des Modul-FF200R12KT4 C Serie des Inverter-Doppel-IGBT des Maschinenantrieb-62mm

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1200V Halbbrücke-des Modul-FF200R12KT4 C Serie des Inverter-Doppel-IGBT des Maschinenantrieb-62mm
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Infineon
Modellnummer: FF200R12KT4
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Satz
Verpackung Informationen: Verpackung des hölzernen Kastens
Lieferzeit: 25 Tage, nachdem der Vertrag unterzeichnet worden ist
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000sets
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
VCES: 1200V IC-nom IC: 200A
IC: 320A ICRM: 400A
Markieren:

Modul igbt der hohen Leistung

,

Automobil-igbt

Halbbrücke 62mm C Serie 1200 V, Maschinenantriebmodul der Module FF200R12KT4 des Inverters Doppel-IGBT

Maximale Nennwerte

Kollektor-Emitter-Spannung Tvj = 25°C VCES 1200 V
Ununterbrochener DC-Kollektorstrom TC = 100°C, Tvj maximal = 175°C
TC = 25°C, Tvj maximal = 175°C
IC-nom
IC

200

320

A

A

Sich wiederholender Höchstkollektorstrom TP = 1 Frau ICRM 400 A
Gesamtleistungsableitung

TC = 25°C,

Tvj maximal = 175°C

Ptot 1100 W
Tor-Emitterhöchstspannung VGES +/--20 V

Kennwerte

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C

VCE gesessen 1,75
2,05
2,10
2,15 V
VV
Torschwellenspannung IC = 7,60 MA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Torgebühr VGE = -15 V… +15 V QG 1,80 µC
Interner Torwiderstand Tvj = 25°C RGint 3,8
Inputkapazitanz f = 1 MHZ, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 N-Düngung
Rückübergangskapazitanz f = 1 MHZ, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 N-Düngung
Kollektor-Emitter Sperrstrom VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GEFRIERT 5,0 MA
Tor-Emitterdurchsickernstrom VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Einschaltverzögerungszeit, induktive Belastung IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
TD an 0,16 0,17
0,18
µs
µs
µs
Anstiegszeit, induktive Belastung IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
tr 0.045 0,04
0,50
µs
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit, induktive Belastung IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
TD weg 0,45 0,52
0,54
µs
µs
µs
Abfallzeit, induktive Belastung IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
tf 0,10 0,16
0,16
µs
µs
µs
Drehung-auf Energieverlust pro Impuls IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
Äone 10,0
15,0
17,0
19,0
30,0
36,0
Drehungs-wegEnergieverlust pro Impuls IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C
Eoff 14,0
20,0
23,0
mJ
mJ
mJ
Sc-Daten VGE-≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt TP-≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC 800 mJ
mJ
mJ
Thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall IGBT/pro IGBT RthJC 0.135 K/W
Thermischer Widerstand, caseto Kühlkörper JEDES IGBT/pro IGBT
λPaste = 1 mit (m·K)/λgrease = 1 mit (m·K)
RthCH 0.034 K/W
Temperatur unter Schaltungsbedingungen Tvj OP -40 150

°C

1200V Halbbrücke-des Modul-FF200R12KT4 C Serie des Inverter-Doppel-IGBT des Maschinenantrieb-62mm 0

1200V Halbbrücke-des Modul-FF200R12KT4 C Serie des Inverter-Doppel-IGBT des Maschinenantrieb-62mm 1

Kontaktdaten
Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Ansprechpartner: Ms. Biona

Telefon: 86-755-83014873

Faxen: 86-755-83047632

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