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Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Zu Hause Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
IGBT-Power-Modul
Created with Pixso.

Igbt Vollbrücke FP50R12KT4_B11 Infineon Modul AG | Emitter steuerte Diode 4

Igbt Vollbrücke FP50R12KT4_B11 Infineon Modul AG | Emitter steuerte Diode 4

Igbt Vollbrücke FP50R12KT4_B11 Infineon Modul AG | Emitter steuerte Diode 4

Markenbezeichnung: Infineon
Modellnummer: FF1500R12IE5
MOQ: 1 Satz
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsfähigkeit: 1000sets
Einzelheiten
Beschreibung des Produkts
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
VCES:
1200V
IC-nom:
1500A
ICRM:
3000A
Mechanische Eigenschaften:
Kupfer Basisplatte
Verpackung Informationen:
Verpackung des hölzernen Kastens
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
1000sets
Hervorheben:

Modul igbt der hohen Leistung

,

eupec igbt Modul

Beschreibung des Produkts
IGBT-Leistungsmodule FP50R12KT4_B11 Infineon Technologies AG | Emittergesteuerte 4-Diode

Typische Anwendungen
• Hilfswechselrichter
• Motorantriebe
• Servoantriebe


Elektrische Eigenschaften
• Geringe Schaltverluste
• Tvj op = 150 ° C
• VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten
• Geringe VCEsat


Mechanische Eigenschaften
• Hohe Leistung und thermische Zyklusfähigkeit
• Hohe Leistungsdichte
• Integrierter NTC-Temperatursensor
• Kupferbasisplatte
• PressFIT-Kontakttechnologie
• Standardgehäuse

Schlagworte: 

Hochleistungs-IGBT-Modul  

eupec igbt Modul  

Automotive igbt

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